Dan Shechtman: Różnice pomiędzy wersjami
m (zamienił w treści „Źródło:” na „== Bibliografia ==”) |
m (zamienił w treści „Specjalność:” na „Dyscyplina/specjalności:”) |
||
Linia 47: | Linia 47: | ||
'''Tekst tłustą czcionką'''Prof. '''Dan Shechtman''' (1941-) | '''Tekst tłustą czcionką'''Prof. '''Dan Shechtman''' (1941-) | ||
Dyscyplina/specjalności: inżynieria materiałowa; krystalografia | |||
Urodził się w 1941 roku w Tel Avivie w Izraelu. Absolwent Technion — Israel Institute of Technology w Haifie 1966, 1968 — inżynieria mechaniczna, inżynieria materiałowa. | Urodził się w 1941 roku w Tel Avivie w Izraelu. Absolwent Technion — Israel Institute of Technology w Haifie 1966, 1968 — inżynieria mechaniczna, inżynieria materiałowa. |
Wersja z 15:37, 25 cze 2016
Dan Shechtman | |
---|---|
Nazwisko | Shechtman |
Imię / imiona | Dan |
Tytuły / stanowiska | Prof. |
Data urodzenia | 1941 |
Miejsce urodzenia | Tel Aviv
|
Dyscyplina/specjalności | inżynieria materiałowa; krystalografia
|
Rok przyznania doktoratu h.c. AGH | 2013 |
Powód przyznania doktoratu h.c. AGH | za odkrycie kwazikryształów. Odkrycie kwazikryształów było największym wydarzeniem naukowym w krystalografii końca XX wieku, za które prof. Dan Shechtman otrzymał w 2011 roku Nagrodę Nobla z chemii |
Odznaczenia i nagrody | Nagroda Nobla (chemia) 2011 za „odkrycie kwazikryształów”; nagrody krajowe i międzynarodowe m.in. The Wolf Prize; The Gregori Aminoff Prize |
Tekst tłustą czcionkąProf. Dan Shechtman (1941-)
Dyscyplina/specjalności: inżynieria materiałowa; krystalografia
Urodził się w 1941 roku w Tel Avivie w Izraelu. Absolwent Technion — Israel Institute of Technology w Haifie 1966, 1968 — inżynieria mechaniczna, inżynieria materiałowa.
Dr — Technion — Israel Institute of Technology (Haifa) 1972.
Od 1975 pracownik Wydziału Inżynierii Materiałowej Technion — Israel Institute of Technology. Kieruje pracami naukowymi w Edelsein Center i Wolfson Center. Kierownik Wolfson Center. Posiada tytuły: Philip Tobias Distinguished Professor of Materials Science w Technion — Israel Institute of Technology oraz Professor of Materials Science Iowa State University.
Stypendium naukowe NRC (National Research Council) w Aerospace research Laboratories, Wrightt Patterson Air Force Base w Ohio; urlop naukowy w Johns Hopkins University 1981–1983; urlop naukowy w NIST (National Institute of Standards and Technology) 1992–1994.
Członek Ames Laboratory w US Department of Energy.
Badania naukowe: inżynieria mechaniczna, inżynieria materiałowa, mikrostruktura i metalurgia związków na bazie tytanu i glinu, szybko chłodzone stopy glinu i metali przejściowych, kryształy kwaziperiodyczne, wpływ defektów strukturalnych na wzrost własności sztucznych diamentów otrzymywanych techniką CVD.
Bibliografia
- Professor Dan Shechtman Doctor Honoris Causa AGH University of Science and Technology in Krakow. Krakow, 3 September 2013. [Kraków, 2013], 16 s., il.
- Uchwała nr 11/2013 Senatu AGH z dnia 30 stycznia 2013 r., w sprawie nadania TYTUŁU DOKTORA HONORIS CAUSA AGH Panu prof. Danowi Shechtmanowi. Protokół z posiedzenia Senatu AGH z dnia 30 stycznia 2013 r. s. 2, 48
- [Invitation to a ceremonial Session of the AGH UST Senate dedicated to awarding the honorary degree of Doctor Honoris Causa Professor Dan Shechtman], portr.