Jadwiga Ewa Laska: Różnice pomiędzy wersjami
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
| Linia 24: | Linia 24: | ||
| fields = chemia i technologia polimerów, chemia i technologia organiczna | | fields = chemia i technologia polimerów, chemia i technologia organiczna | ||
| function = | | function = | ||
| faculty = Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki | |||
| workplaces = | | workplaces = | ||
| alma_mater = | | alma_mater = | ||
| Linia 34: | Linia 35: | ||
| notable_students = | | notable_students = | ||
| known_for = | | known_for = | ||
| varia = | |||
| author_abbrev_bot = | | author_abbrev_bot = | ||
| author_abbrev_zoo = | | author_abbrev_zoo = | ||
Wersja z 15:21, 22 sty 2014
| Jadwiga Ewa Laska | |
|---|---|
| Nazwisko | Laska |
| Imię / imiona | Jadwiga |
| Tytuły / stanowiska | Dr inż. |
| Data urodzenia | 1960
|
| Dyscyplina/specjalności | chemia i technologia polimerów, chemia i technologia organiczna |
| Wydział | Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki
|
Dr inż. Jadwiga Ewa Laska (1960–)
Specjalność: chemia i technologia polimerów, chemia i technologia organiczna
Urodziła się 18 grudnia 1960 roku w Kańczudze. W 1985 r. ukończyła studia na Wydziale Chemii Politechniki Warszawskiej. Dr — Politechnika Warszawska 1994. Obecnie pracuje jako adiunkt w Katedrze Chemii Krzemianów i Związków Wielkocząsteczkowych Wydziału Inżynierii Materiałowej i Ceramiki AGH.
Przebywała na stażach naukowych m.in. na Unwersytecie Vanderbilta (USA) oraz Uniwersytecie Nantejskim (Francja), współpracowała naukowo z Uniwersytetem J. Fouriera w Grenoble (Francja).
Prowadzi badania dotyczące polimerów przewodzących, recenzuje artykuły naukowe z tej dziedziny dla czasopism zagranicznych.
Od 1990 roku jest członkiem Polskiego Towarzystwa Chemicznego.
Jest autorką lub współautorką 42 artykułów naukowych, ponad 60 wystąpień konferencyjnych, w tym skryptu i monografii, 1 patentu, 2 zgłoszeń patentowych.
Źródło:
- Kto jest kim w ceramice. s. 149
- Wielka Księga 85-lecia Akademii Górniczo-Hutniczej. Gliwice cop. 2004. S. 192