Stanisława Anna Dalczyńska-Jonas: Różnice pomiędzy wersjami
Nie podano opisu zmian |
Nie podano opisu zmian |
||
| Linia 24: | Linia 24: | ||
| fields = | | fields = | ||
| function = | | function = | ||
| faculty = Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki | |||
| workplaces = | | workplaces = | ||
| alma_mater = | | alma_mater = | ||
| Linia 34: | Linia 35: | ||
| notable_students = | | notable_students = | ||
| known_for = | | known_for = | ||
| varia = | |||
| author_abbrev_bot = | | author_abbrev_bot = | ||
| author_abbrev_zoo = | | author_abbrev_zoo = | ||
Wersja z 15:21, 22 sty 2014
| Stanisława Anna Dalczyńska-Jonas | |
|---|---|
| Nazwisko | Jonas-Dalczyńska |
| Imię / imiona | Stanisława |
| Tytuły / stanowiska | Prof. dr hab. inż. |
| Data urodzenia | 1944
|
| Wydział | Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki
|
Prof. dr hab. inż. Stanisława Anna Jonas-Dalczyńska (1944–)
Urodziła się 22 maja 1944 roku. W 1968 r. ukończyła studia na Wydziale Ceramicznym Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie.
Po ukończeniu studiów zatrudniona na Wydziale Inżynierii Materiałowej i Ceramiki, obcenie w Katedrze Ceramiki Ogniotrwałej, Szlachetnej i Technicznej na stanowisku profesora nadzwyczajnego. Od początku swej działalności naukowej rozwija tematykę badawczą w zakresie reakcji chemicznych i procesów fizycznych na granicy rozdziału ciało stałe — gaz. Głównym obiektem jej zainteresowań w tej dziedzinie jest modyfikacja powierzchni materiałów warstwami o specyficznych właściwościach elektrycznych, chemicznych i mechanicznych metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej.
Autorka lub współautorka ok. 80 publikacji, kilku patentów i dwu monografii. Jest głównym organizatorem pracowni wyposażonej w nowoczesną aparaturę do chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej polem mikrofalowym oraz urządzenia do badań właściwości otrzymywanych warstw. Członek New York Academy of Sciences, USA.
Źródło:
- Kto jest kim w ceramice. 50 lecie Wydziału Inżynierii Materiałowej i Ceramiki 1949–1999. Kraków 1999. s. 129
- BIP 2003 nr 113. s. 13